近日，東京電子宣布成功開發出一種創新蝕刻技術，首次將電介質蝕刻應用帶到了低溫范圍，使得刻蝕速率提高，能夠在堆疊超過400層的3DNAND器件中生成通道孔-今日快看

(資料圖)

近日，東京電子宣布成功開發出一種創新蝕刻技術，首次將電介質蝕刻應用帶到了低溫范圍，使得刻蝕速率提高，能夠在堆疊超過400層的3DNAND器件中生成通道孔。該創新技術可在短短33分鐘內實現10微米深的高縱橫比蝕刻，與之前的技術相比，可將全球變暖潛能值降低84%。

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